[G] 高温プロセス・物質創製

2019年9月12日(木) 13:00 〜 14:55 A会場 (一般教育棟C棟2階C22)

座長:鈴木寿穂(日本製鉄株式会社)、友重竜一(崇城大学)

13:00～鈴木寿穂
14:10～友重竜一
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と村上記念賞受賞講演は5～10分、技術開発賞は質疑時間なし）

13:00 〜 13:15

[8] CS₂ガス硫化によるSiS₂の作成

八島悠太^1,2、*鈴木亮輔¹、金子拓実¹、Eltefat Ahmadi¹、渡邉貴史³、野上玄器³ (1. 北大工（院生）、、2. JR東海、3. 三菱ガス化学)

13:15 〜 13:30

*真田雅文¹、秋山友宏²、能村貴宏²、阿部圭佑²、Ade Kurniawan² (1. 北海道大工（院生）、2. 北海道大工)

13:30 〜 13:45

*永田将偉¹、井野川人姿²、友重竜一² (1. 崇城大工(院生)、2. 崇城大工)

13:45 〜 14:00

*上村源¹、松浦宏行² (1. 東大新領域（院生）、2. 東大工)

休憩 (14:00 〜 14:10)

14:10 〜 14:25

*山田泰子¹、佐伯智則¹、古澤克佳²、星裕之² (1. 日立製作所、2. 日立金属)

14:25 〜 14:40

*Ren Yongsheng¹、Morita Kazuki¹ (1. Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo)

14:40 〜 14:55

*久米井康志¹、青柳健大²、千葉晶彦² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大金研)