日本金属学会 2019年秋期(第165回)講演大会

講演情報

一般講演

9.電気・磁気 関連材料 » 電気・電子・光関連材料

[G] 半導体・機能性材料

2019年9月13日(金) 09:00 〜 11:55 E会場 (一般教育棟D棟2階D22)

座長:田中 秀和(大阪大学)、石川 史太郎(愛媛大学)

09:00 〜 09:15

[158] 各種フラックスによる2D半導体GaSeの結晶成長とそのSHG特性評価

*渡辺 克也1、佐藤 陽平1、唐 超1、大崎 淳也1、田邉 匡生2、小山 裕2 (1. 東北大工(院生)、2. 東北大工)

キーワード:GaSe、フラックス法、SHG

GaSe結晶はTHz波の発生・検出などへの応用が期待される非線形光学結晶である。本研究では、成長速度を高速化し、より大きな膜厚を得ることが期待されるフラックス法によりGaSe結晶を作製し、その結晶性を評価した。

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