GaAsNBiナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

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General Session

9.Electric/Magnetic Materials » Electric/Electronic/Optical Materials

[G] Semiconductors & Functional Materials

Fri. Sep 13, 2019 9:00 AM - 11:55 AM E (D22 at 1st Flr. Building D for General Education)

座長:田中秀和(大阪大学)、石川史太郎(愛媛大学)

9:30 AM - 9:45 AM

*Mori Shota¹, Yukimune Mitsuki¹, Fujiwara Ryo¹, Ishikawa Fumitaro² (1. 愛媛大工（院生）、2. 愛媛大工)

Keywords:半導体

分子線エピタキシー法により作成したGaNAsおよびGaAsNBiを井戸層に有するGaAs系コアマルチシェル型ナノワイヤの成長について報告する.

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