[G] Semiconductors & Functional Materials

[161] AlGaN半導体による波長選択型紫外光検出器の作製と特性評価

*OKUMURA Takahiro¹, TOBA Ryuichi³, TANABE Tadao², OHASHI Takahiro³, OYAMA Yutaka² (1. 東北大工(院生)、2. 東北大工、3. 東北大環)

Keywords:AlGaN、紫外光検出

現在紫外光の検出器として主に用いられているSiに代わる材料としてワイドギャップ半導体材料の一つでありAlNとGaNの混晶であるAlGaNを用いた波長選択型紫外光検出器の開発を目指し検出器の作製、特性評価を行った。