[G] Semiconductors & Functional Materials

[166] Al₂O₃/TiO₂二層構造を用いたフレキシブル抵抗変化型メモリの抵抗スイッチング特性

*NABATAME Toshihide¹, Oishi Tomoji², Inoue Mari¹, Takahashi Makoto³, Ito Kazuhiro³, Ikeda Noki¹, Ohi Akihiko¹ (1. 物材機構、2. 芝工大、3. 阪大接合研)

Keywords:抵抗変化型メモリ、フレキシブル、Al₂O₃/TiO₂二層構造、原子層堆積法、酸素空孔

本研究では、フレキシブルなポリイミド基板上へPt/Al₂O₃/TiO₂/PtのReRAMキャパシタを作製して、抵抗スイッチング電圧は0.8 Vと低電圧で、Si基板上へ形成した同じ構造のReRAMキャパシタと同じ値であった。