[G] 相変化材料・超伝導材料

[170] 逆抵抗変化型Cr₂Ge₂Te₆相変化材料のメモリ特性

*畑山 祥吾¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹ (1. 東北大工)

キーワード：相変化メモリ、アモルファス、Cr-Ge-Te

Cr₂Ge₂Te₆(CrGT)は多くの相変化材料と異なり、高抵抗の結晶相と低抵抗のアモルファス相とを有する新材料である。本研究では、CrGTを用いてメモリセルを作製し、その動作特性を調査した。