[G] Phase change memory & Supercondctors

[170] 逆抵抗変化型Cr₂Ge₂Te₆相変化材料のメモリ特性

*HATAYAMA Shogo¹, ANDO Daisuke¹, Sutou YuJi¹ (1. 東北大工)

Keywords:相変化メモリ、アモルファス、Cr-Ge-Te

Cr₂Ge₂Te₆(CrGT)は多くの相変化材料と異なり、高抵抗の結晶相と低抵抗のアモルファス相とを有する新材料である。本研究では、CrGTを用いてメモリセルを作製し、その動作特性を調査した。