[G] Phase change memory & Supercondctors

[172] MnTe多形体薄膜の相変化

*MORI SHUNSUKE¹, ANDO DAISUKE², SUTOU YUJI² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大工)

Keywords:半導体材料、薄膜、相変化

相変化材料は、光ディスクや半導体メモリの情報記録層として用いられる。本発表では、極めて低エネルギーで動作すると期待されるMnTe多形体薄膜に着目し、新相変化材料としての適用可否について報告する。