2019 Fall Annual(165th) Meeting

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General Session

6.Materials Processing » Melting and solidification process/ High temperature process

[G] High temperature process/Solidification

Thu. Sep 12, 2019 3:10 PM - 5:35 PM A (C22 at 2nd Flr. Building C for General Education)

座長:大野 宗一(北海道大学)、大出 真知子(国立研究開発法人 物質・材料研究機構)

5:05 PM - 5:20 PM

[22] GaSbのデンドライト成長速度と双晶界面間隔の関係

*SHIGA Keiji1, KAWANO Masato1, MAEDA Kensaku1, MORITO Haruhiko1, FUJIWARA Kozo1 (1. 東北大金研)

Keywords:その場観察、デンドライト、双晶、一方向凝固、ガリウムアンチモン

一方向凝固過程における結晶–融液界面のその場観察によりガリウムアンチモン(GaSb)のデンドライト成長過程を調べた。双晶界面の間隔が大きくなるとデンドライト成長速度は低下した。

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