日本金属学会 2019年秋期(第165回)講演大会

講演情報

一般講演

6.材料プロセシング » 溶融・凝固プロセス 高温プロセス

[G] 高温プロセス・凝固

2019年9月12日(木) 15:10 〜 17:35 A会場 (一般教育棟C棟2階C22)

座長:大野 宗一(北海道大学)、大出 真知子(国立研究開発法人 物質・材料研究機構)

17:05 〜 17:20

[22] GaSbのデンドライト成長速度と双晶界面間隔の関係

*志賀 敬次1、河野 優人1、前田 健作1、森戸 春彦1、藤原 航三1 (1. 東北大金研)

キーワード:その場観察、デンドライト、双晶、一方向凝固、ガリウムアンチモン

一方向凝固過程における結晶–融液界面のその場観察によりガリウムアンチモン(GaSb)のデンドライト成長過程を調べた。双晶界面の間隔が大きくなるとデンドライト成長速度は低下した。

抄録パスワード認証
抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。

パスワード