[G] Nuclear Materials(2)

[231] イオンビーム照射によるGeとGaSbの表面構造変化

*KOMODA Takahiro¹, MURAO Yoshiki², ISHIKAWA Kohei¹, YOSHIHARA Daiki¹, OISHI Tomaya², MIYAJI Takashi², NITTA Noriko³ (1. 高知工大(学生)、2. 高知工大(院生)、3. 高知工大)

Keywords:ナノ構造、イオンビーム、Ge、GaSb、走査型電子顕微鏡

半導体であるGe, GaSb, InSbの表面にイオンビーム照射を行うと、ナノサイズのポーラス構造が形成される。これらの材料にイオンビームを照射し、形成メカニズムを比較した。