2019 Fall Annual(165th) Meeting

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General Session

10. Energy and Related Materials » Nuclear Materials

[G] Nuclear Materials(2)

Thu. Sep 12, 2019 9:00 AM - 3:00 PM G (D24 at 1st Flr. Building D for General Education)

座長:笠田 竜太(東北大学)、大沢 一人(九州大学)、外山 健(東北大学)、能登裕之(自然科学研究機構)

2:45 PM - 3:00 PM

[231] イオンビーム照射によるGeとGaSbの表面構造変化

*KOMODA Takahiro1, MURAO Yoshiki2, ISHIKAWA Kohei1, YOSHIHARA Daiki1, OISHI Tomaya2, MIYAJI Takashi2, NITTA Noriko3 (1. 高知工大(学生)、2. 高知工大(院生)、3. 高知工大)

Keywords:ナノ構造、イオンビーム、Ge、GaSb、走査型電子顕微鏡

半導体であるGe, GaSb, InSbの表面にイオンビーム照射を行うと、ナノサイズのポーラス構造が形成される。これらの材料にイオンビームを照射し、形成メカニズムを比較した。

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