日本金属学会 2019年秋期(第165回)講演大会

講演情報

一般講演

10. エネルギー関連材料 » 原子力材料

[G] 原子力材料(2)

2019年9月12日(木) 09:00 〜 15:00 G会場 (一般教育棟D棟2階D24)

座長:笠田 竜太(東北大学)、大沢 一人(九州大学)、外山 健(東北大学)、能登裕之(自然科学研究機構)

14:45 〜 15:00

[231] イオンビーム照射によるGeとGaSbの表面構造変化

*菰田 誉大1、村尾 吉輝2、石川 昂平1、吉原 大貴1、大石 倫也2、宮地 峰司2、新田 紀子3 (1. 高知工大(学生)、2. 高知工大(院生)、3. 高知工大)

キーワード:ナノ構造、イオンビーム、Ge、GaSb、走査型電子顕微鏡

半導体であるGe, GaSb, InSbの表面にイオンビーム照射を行うと、ナノサイズのポーラス構造が形成される。これらの材料にイオンビームを照射し、形成メカニズムを比較した。

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