[G] Microstructure Observations and Analyses

[48] フォトン照射による電子励起反応を用いたRuシリサイドの形成

*FURUKAWA Daiki¹, ICHIKAWA Shuhei², SATO Kazuhisa², IMAMURA Masaki³, TAKAHASHI Kazutoshi³, YASUDA Hidehiro² (1. 阪大工(院生)、2. 阪大電顕センター、3. 佐賀大学シンクロトロン)

Keywords:シンクロトロン光光電子分光、ルテニウム、シリサイド、電子励起

HOPG基板上に作製したSiO_x/Ru/SiO_x構造へ500、560 eVのシンクロトロン光を照射し、光電子分光によってRuシリサイド形成の有無を評価した。O1s内殻電子の励起がRuシリサイド形成に寄与していることが示唆された。