2019 Fall Annual(165th) Meeting

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General Session

6.Materials Processing » Melting and solidification process/ High temperature process

[G] High temperature process/Materials Creation

Thu. Sep 12, 2019 1:00 PM - 2:55 PM A (C22 at 2nd Flr. Building C for General Education)

座長:鈴木 寿穂(日本製鉄株式会社)、友重 竜一(崇城大学)

1:00 PM - 1:15 PM

[8] CS2ガス硫化によるSiS2の作成

Yashima Yuta1,2, *Suzuki O. Ryousuke1, Kaneko Takumi1, Ahmadi Eltefat1, Watanabe Takashi3, Nogami Genki3 (1. 北大工(院生)、、2. JR東海、3. 三菱ガス化学)

Keywords:硫化シリコン、合成、二硫化炭素、昇華、気相合成

CS2ガスを用いてSiと反応させて、SiS2の融点以下の1273 KでSiS2単相の合成に成功した。Si源としてSiC, Si3N4, Al-Si合金液体を検討した。

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