プラズマCVD・スパッタリング複合プロセスにおけるLiドープSiO:CH薄膜の堆積過程

12:30 PM - 2:30 PM

[P117] プラズマCVD・スパッタリング複合プロセスにおけるLiドープSiO:CH薄膜の堆積過程

*Kanno Masahiro¹, Yazaki Mamoru¹, Inoue Yasushi¹, Takai Osamu² (1. 千葉工大（院生）、2. 関東学院大材料・表面研)

Keywords:CCP-CVD、マグネトロンスパッタリング、SiO:CH薄膜

SiO:CHにLiをドープさせることによって，固体電解質のような新しい機能を付与できる可能性があることから，プラズマCVD・スパッタリング複合プロセスを用いて，LiドープSiO:CH薄膜を作製し堆積過程を調べる．

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