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[P117] プラズマCVD・スパッタリング複合プロセスにおけるLiドープSiO:CH薄膜の堆積過程
キーワード：CCP-CVD、マグネトロンスパッタリング、SiO:CH薄膜
SiO:CHにLiをドープさせることによって，固体電解質のような新しい機能を付与できる可能性があることから，プラズマCVD・スパッタリング複合プロセスを用いて，LiドープSiO:CH薄膜を作製し堆積過程を調べる．
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