2019 Fall Annual(165th) Meeting

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Poster Session

6.Materials Processing » Materials Processing

[P] 6.材料プロセシング

Wed. Sep 11, 2019 3:00 PM - 5:00 PM Poster Session (Okayama University 50th Year Aniversary Bldg.)

3:00 PM - 5:00 PM

[P149] Cr-Si合金を用いたSiC溶液成長時の結晶中窒素濃度

*HACHINODA SHOGO1, KAWANISHI SAKIKO2, SHIBATA HIROYUKI2 (1. 東北大院生、2. 東北大多元研)

Keywords:SiC、結晶成長、溶液成長、窒素濃度

SiCの溶液成長に一般的に用いられる溶媒系であるCr-Si合金を用いた際のSiC結晶中の窒素濃度を調査し、溶媒組成および成長温度の影響を評価した。

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