Ni-Al融体表面を反応場とするAlNの結晶成長

3:00 PM - 5:00 PM

[P151] Ni-Al融体表面を反応場とするAlNの結晶成長

*Kanbara Arata¹, Adachi Masayoshhi¹, Fukuyama Hiroyuki¹ (1. 東北大学　多元研)

Keywords:結晶成長、窒化アルミニウム、Ni-Alフラックス

AlNはAlGaN系深紫外LEDの基板材料として最適である．しかしながら，安価なバルクAlN単結晶作製法は確立されていない．本研究ではNi-Alフラックスを用いたバルクAlN結晶の育成法の開発を行っている．

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