15:00 〜 17:00
[P151] Ni-Al融体表面を反応場とするAlNの結晶成長
キーワード：結晶成長、窒化アルミニウム、Ni-Alフラックス
AlNはAlGaN系深紫外LEDの基板材料として最適である．しかしながら，安価なバルクAlN単結晶作製法は確立されていない．本研究ではNi-Alフラックスを用いたバルクAlN結晶の育成法の開発を行っている．
抄録パスワード認証
抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。