[P] P16~P19

[P17] Selection of buffer thin film for superior epitaxial chromium nitride thin film deposition

*Junya NITTA¹, Takumi SUGAI¹, Tadachika NAKAYAMA¹, Hisayuki SUEMATSU¹, Tsuneo SUZUKI¹ (1. Nagaoka Univ. Tech.)

Keywords:CrN、パルスレーザー体積法、エピタキシャル成長、電気抵抗率測定、中間層

過去・現在の研究室での結果を踏まえ、パルスレーザー堆積法により、NiO、Cr-Yb-N、Cr-Fe-N薄膜を成膜し、その結晶性と電気抵抗率測定からCrN薄膜を成膜するために適した中間層（バッファ）を選定した。