[P] P136~140

[P137] Threshold value of ion beam flux in formation of Ge porous structures

*Naoto Oishi¹, Noriko Nitta¹, Brixi Michel², Takuju Zen¹ (1. Kochi University of Technology, 2. University of Hradec Králové)

Keywords:イオンビーム、半導体、Ge、Si

Geポーラス構造の初期構造に着目し、構造形成におけるイオンビームの閾値フラックスを特定することを試みた。また、Siを用いて同様の実験を行い、Geとの比較を行った。