日本金属学会2020年秋期(第167回)講演大会

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ポスターセッション

10. Energy and Related Materials » Energy and Related Materials

[P] P136~140

Tue. Sep 15, 2020 3:30 PM - 5:30 PM ZoomRm.Poster

[P137] Threshold value of ion beam flux in formation of Ge porous structures

*Naoto Oishi1, Noriko Nitta1, Brixi Michel2, Takuju Zen1 (1. Kochi University of Technology, 2. University of Hradec Králové)

Keywords:イオンビーム、半導体、Ge、Si

Geポーラス構造の初期構造に着目し、構造形成におけるイオンビームの閾値フラックスを特定することを試みた。また、Siを用いて同様の実験を行い、Geとの比較を行った。

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