[P] P136~140

[P137] Geポーラス構造形成におけるイオンビームフラックスの閾値

*大石 脩人¹、新田 紀子¹、Michel Brixi²、全 卓樹¹ (1. 高知工科大学、2. フラデツ・クラロヴェ大学)

キーワード：イオンビーム、半導体、Ge、Si

Geポーラス構造の初期構造に着目し、構造形成におけるイオンビームの閾値フラックスを特定することを試みた。また、Siを用いて同様の実験を行い、Geとの比較を行った。