[P28] Siイオン照射された4H-SiCにおける残留弾性ひずみの非破壊評価
キーワード:SiC、イオン照射、EBSD、ラマン分光、残留弾性ひずみ
Siイオン照射によって4H-SiC単結晶基板に生じる残留弾性ひずみの非破壊評価をEBSDなどで行い、過去に実施した低エネルギーHeイオン照射の結果と比較することで、照射イオン種や照射量の依存性について評価した。
要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン