[P28] Non-destructive evaluation of the residual elastic strain Si ions irradiated 4H-SiC
Keywords:SiC、イオン照射、EBSD、ラマン分光、残留弾性ひずみ
Siイオン照射によって4H-SiC単結晶基板に生じる残留弾性ひずみの非破壊評価をEBSDなどで行い、過去に実施した低エネルギーHeイオン照射の結果と比較することで、照射イオン種や照射量の依存性について評価した。
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