[P] P28~P33

[P28] Siイオン照射された4H-SiCにおける残留弾性ひずみの非破壊評価

*千田 雅也¹、Yang Subing¹、柴山 環樹¹、中川 祐貴¹、林 慶知²、檜木 達也² (1. 北大工、2. 京大エネ研)

キーワード：SiC、イオン照射、EBSD、ラマン分光、残留弾性ひずみ

Siイオン照射によって4H-SiC単結晶基板に生じる残留弾性ひずみの非破壊評価をEBSDなどで行い、過去に実施した低エネルギーHeイオン照射の結果と比較することで、照射イオン種や照射量の依存性について評価した。