[P] P50~P53

[P50] 内部加工型レーザ照射されたSiウェハ中に形成されるボイド発生機構

*生井 航平¹、伊藤 吾朗²、小林 純也²、河口 大祐³ (1. 茨城大（院生）、2. 茨城大、3. 浜松ホトニクス)

キーワード：ボイド、レーザ、シリコンウェハ、水素

Siウェハの切断技術に内部加工型レーザがあるが、集光部のボイド発生機構は不明である。ボイド内に水素が存在している可能性を提案し、レーザ加工された試料から脱水素すると上手く破断しないことが分かった。