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[S2.3] 深紫外透明SrSnO3薄膜トランジスタの作製と熱電能電界変調
キーワード:酸化物半導体、薄膜トランジスタ
本研究では、SrSnO3薄膜を活性層とした薄膜トランジスタ(TFT)を作製し、その動作機構を熱電能電界変調法によって調べた。
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