[G] Spintronics/Nanomagnetic Materials

[68] Fabricating L1₀-FeNi films with a large degree of order and uniaxial magnetic anisotropy by denitriding method

*Keita ITO^1,2, Masahiro HAYASHIDA³, Takumi ICHIMURA³, Takahiro NISHIO⁴, Syo GOTO⁴, Hiroaki KURA⁴, Tomoyuki KOGANEZAWA⁵, Masaki MIZUGUCHI⁶, Yusuke SHIMADA¹, Toyohiko KONNO¹, Hideto YANAGIHARA⁷, Koki TAKANASHI^1,2,8 (1. IMR, Tohoku Univ., 2. CSRN, Tohoku Univ., 3. Grad. Sch. Eng., Tohoku Univ., 4. DENSO CORPORATION, 5. JASRI, 6. Nagoya Univ., 7. Univ. of Tsukuba, 8. CSIS, Tohoku Univ.)

Keywords:L10-FeNi、脱窒素

分子線エピタキシー法によりエピタキシャルFeNiN薄膜を作製し、H₂ガス雰囲気中で脱窒素熱処理を行うことで、エピタキシャルL1₀-FeNi薄膜の作製と高い規則度および高い一軸磁気異方性エネルギーを実現した。