[G] スピントロニクス・ナノ磁性材料

[68] 脱窒素法による高規則度・高磁気異方性L1₀-FeNi薄膜の作製

*伊藤 啓太^1,2、林田 誠弘³、市村 匠³、西尾 隆宏⁴、後藤 翔⁴、藏 裕彰⁴、小金澤 智之⁵、水口 将輝⁶、嶋田 雄介¹、今野 豊彦¹、柳原 英人⁷、高梨 弘毅^1,2,8 (1. 東北大金研、2. 東北大CSRN、3. 東北大工、4. 株式会社デンソー、5. 高輝度光科学研究センター、6. 名古屋大、7. 筑波大、8. 東北大CSIS)

キーワード：L10-FeNi、脱窒素

分子線エピタキシー法によりエピタキシャルFeNiN薄膜を作製し、H₂ガス雰囲気中で脱窒素熱処理を行うことで、エピタキシャルL1₀-FeNi薄膜の作製と高い規則度および高い一軸磁気異方性エネルギーを実現した。