[G] Electric/Electronic/Optical Materials

[3] Relation between resistance to oxidation and addition concentration of Ge in magnetite thin films

*Seishi ABE¹ (1. Research Institute for Electromagnetic Materials)

Keywords:薄膜、鉄酸化物、相転移、耐酸化性、無機材料

マグネタイト（Fe3O4）薄膜の耐酸化性とGe濃度および大気中熱処理時間との関係について検討を行った。その結果、磁化が最大となるGe濃度(2.5at.%)において最も耐酸化性が高まることが明らかになった。