[G] Electric/Electronic/Optical Materials

[9] Self-selective memory behavior using polymorphic-MnTe/AZO stacked layer

*Mihyeon Kim¹, Shunsuke Mori¹, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou¹ (1. Tohoku Univ.)

Keywords:Phase Change Random Access Memory、Manganese Telluride、pn-junction、self-selective memory

多形MnTe/AZO積層構造を用いpn接合を形成し、また、pn接合による自己選択性PCRAMへの応用可能性について議論する。