[G] 電気・電子・光関連材料

[9] 多形MnTe/AZO積層構造による自己選択性PCRAMへの可能性

*金 美賢¹、森 竣祐¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹ (1. 東北大工)

キーワード：Phase Change Random Access Memory、Manganese Telluride、pn-junction、self-selective memory

多形MnTe/AZO積層構造を用いpn接合を形成し、また、pn接合による自己選択性PCRAMへの応用可能性について議論する。