[G] 電気・電子・光関連材料

[13] 二次元層状半導体MoS₂の摩擦誘起成膜

*大崎 淳也¹、田邉 匡生³、小山 裕² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大工、3. 芝浦工大)

キーワード：MoS₂、二次元材料、遷移金属ダイカルコゲナイド、MoDTC

本研究は自動車エンジンオイル等で応用されているトライボケミカル反応によるMoS₂の成膜反応を半導体薄膜の成膜法として応用することを目的とし、基板上に製膜したMoS₂の構造評価を行う。