日本金属学会2020年秋期(第167回)講演大会

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一般講演

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[G] 分析・解析・評価

2020年9月18日(金) 13:00 〜 16:00 H会場 (ZoomH会場)

座長:石丸 学(九工大)、今野 豊彦(東北大金研) 副座長(座長補佐):大谷 博司(東北大学)、齊藤元貴(北大)

15:15 〜 15:30

[47] アモルファスGeSnの電子線照射誘起結晶化におけるSnの挙動

*岡 壮磨1、本村 凌1、石丸 学1、仲村 龍介2、保田 英洋3 (1. 九工大工、2. 大阪府大工、3. 阪大超高圧)

キーワード:GeSn、電子線照射誘起結晶化、非熱的過程、透過電子顕微鏡、低温合成

アモルファスGeSnの電子線照射誘起結晶化により固溶限を大きく超えるSnを含む結晶GeSnを得た。その結晶化には排出されたSnが液体として存在し、粗大粒の形成に寄与していることが判明した。

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