[G] Analysis/Characterization/Evaluation

[47] Behavior of Sn in Electron-induced crystallization of amorphous GeSn.

*Soma OKA¹, Ryo MOTOMURA¹, Manabu ISHIMARU¹, Ryusuke NAKAMURA², Hidehiro YASUDA³ (1. Kyushu Inst. Technol., 2. Osaka Pref. Univ., 3. Osaka Univ.)

Keywords:GeSn、電子線照射誘起結晶化、非熱的過程、透過電子顕微鏡、低温合成

アモルファスGeSnの電子線照射誘起結晶化により固溶限を大きく超えるSnを含む結晶GeSnを得た。その結晶化には排出されたSnが液体として存在し、粗大粒の形成に寄与していることが判明した。