日本金属学会2020年秋期(第167回)講演大会

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一般講演

3.Microstructure » Analysis/Characterization/Evaluation

[G] Analysis/Characterization/Evaluation

Fri. Sep 18, 2020 1:00 PM - 4:00 PM Rm. H (ZoomRm.H)

Chair: Sub Chairman (assistant):

3:15 PM - 3:30 PM

[47] Behavior of Sn in Electron-induced crystallization of amorphous GeSn.

*Soma OKA1, Ryo MOTOMURA1, Manabu ISHIMARU1, Ryusuke NAKAMURA2, Hidehiro YASUDA3 (1. Kyushu Inst. Technol., 2. Osaka Pref. Univ., 3. Osaka Univ.)

Keywords:GeSn、電子線照射誘起結晶化、非熱的過程、透過電子顕微鏡、低温合成

アモルファスGeSnの電子線照射誘起結晶化により固溶限を大きく超えるSnを含む結晶GeSnを得た。その結晶化には排出されたSnが液体として存在し、粗大粒の形成に寄与していることが判明した。

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