[G] Melting and solidification process/High temperature process(2)

[350] Growth behavior of AlN crystal on the surface of Fe-Al melts

*Takefumi YAMAGATA¹, Masayoshi ADACHI², Makoto OHTSUKA², Hiroyuki FUKUYAMA² (1. IMRAM, Tohoku Univ.(M2), 2. IMRAM, Tohoku Univ.)

Keywords:AlN、フラックス法、電磁浮遊法、結晶成長

AlNはAlGaN系半導体の基板材料として期待される材料である．本研究ではAlN単結晶作製に向けた結晶成長プロセスの開発として，電磁浮遊法を用いてAlN結晶生成・成長挙動のその場観察を行った結果について発表する．