[P] P142~P149

[P147] EC Properties of Y-doped InN Film Prepared by Glancing-angle Reactive Evaporation

MIZUKI IDE¹, *SAKI SAKI¹, YASUSI INOUE², OSAMU TAKAI³ (1. Chiba Institute of Technology, 2. Chiba Institute of Technology, 3. Kanto Gakuin University)

Keywords:斜入射堆積法、窒化インジウム、イットリウムドープ、吸着誘起型エレクトクロミック

斜入射反応性蒸着法によりY添加InN薄膜を作製し，EC波長域を長波長側へシフトさせることが可能か調査した．Y添加によりInN結晶性が低下し，酸素不純物が増加したため光吸収端は短波長側へシフトした．