日本金属学会2021年秋期(第169回)講演大会

講演情報

ポスターセッション

5.材料化学 » 材料化学

[P] P142~P149

2021年9月14日(火) 13:00 〜 14:30 Zoomポスター会場

13:00 〜 14:30

[P147] 斜入射反応性蒸着法により作製したYドープInN薄膜のEC特性

井出 みずき1、*宮原 佐季1、井上 泰志2、高井 治3 (1. 千葉工大工(学生)、2. 千葉工大工、3. 関東学院大材料表面研)

キーワード:斜入射堆積法、窒化インジウム、イットリウムドープ、吸着誘起型エレクトクロミック

斜入射反応性蒸着法によりY添加InN薄膜を作製し,EC波長域を長波長側へシフトさせることが可能か調査した.Y添加によりInN結晶性が低下し,酸素不純物が増加したため光吸収端は短波長側へシフトした.

要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン