[P] P142~P149

[P147] 斜入射反応性蒸着法により作製したYドープInN薄膜のEC特性

井出 みずき¹、*宮原 佐季¹、井上 泰志²、高井 治³ (1. 千葉工大工(学生)、2. 千葉工大工、3. 関東学院大材料表面研)

キーワード：斜入射堆積法、窒化インジウム、イットリウムドープ、吸着誘起型エレクトクロミック

斜入射反応性蒸着法によりY添加InN薄膜を作製し，EC波長域を長波長側へシフトさせることが可能か調査した．Y添加によりInN結晶性が低下し，酸素不純物が増加したため光吸収端は短波長側へシフトした．