[P] P31~P36

[P34] Single Crystal Formation Ability and Crystal Growth of Rare Earth Metal Element Added GaSb Based Magnetic Semiconductor Fine Particles.

*Takuma HIRANO¹、Katuhisa NAGAYAMA² (1.Shibaura Institute of Technology (Graduate School)、2.Shibaura Institute of Technology )

Keywords:単結晶形成能と結晶成長機構、GaSb系磁性半導体、ドロップチューブプロセス、希土類金属元素

本研究はGaSbに種々の希土類金属元素を添加し , ドロップチューブを用いて , 単結晶微粒子の形成能と希土類金属元素の固溶量及び微粒子の成長形態について解析することを目的とした .