[G] Melting and solidification process/High temperature process

[209] Structural inhomogeneity and crystallization of amorphous group IV semiconductors

*Masayuki OKUGAWA¹ (1. Osaka Univ.)

Keywords:アモルファスIV族半導体、構造解析、低温結晶化プロセス、中範囲規則構造

アモルファスの構造不均一が結晶化挙動へ与える影響を明らかにすることを目的として，スパッタリング法によって作製したGeおよびSiGe合金薄膜の構造と結晶化をTEMとMDシミュレーションにより調べた．