[KS] K4 The latest trend of the materials R&D for the revolution of the Automotive

[K4.8] [Keynote Lecture] The forefront for developing power semiconductor materials and devices

*Yasuo KOIDE¹ (1. National Institute for Materials Science)

Keywords:パワー半導体材料、デバイス開発

次世代パワー半導体材料としてSiC、GaN、Ga₂O₃、およびダイヤモンドが注目されている。本講演ではそれぞれの半導体材料、ウェハ、および光電子デバイスの現状と材料学的課題、将来展望について言及する。