15:10 〜 15:40
[K4.8] [基調講演]パワー半導体材料・デバイス開発の最前線
キーワード:パワー半導体材料、デバイス開発
次世代パワー半導体材料としてSiC、GaN、Ga2O3、およびダイヤモンドが注目されている。本講演ではそれぞれの半導体材料、ウェハ、および光電子デバイスの現状と材料学的課題、将来展望について言及する。
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