[S1] S1 New Materials Science On Nanoscale Structures and Functions of Crystal Defect Cores, II (1)

[S1.11] Influences of structure disorder on thermal conductivity at wurtzite GaN dislocations

*Takaya Horikawa¹, Wataru Sekimoto¹, Susumu Fujii^2,3, Masato Yoshiya^2,3 (1. 大阪大工（院生）、2. 大阪大工、3. ファインセラミックスセンター)

Keywords:GaN、転位、熱伝導、分子動力学法

本研究では、パワー半導体として期待されているGaNにおける転位が格子熱伝導度に与える影響について解析を行った。材料中に転位が導入されることにより結合長や結合角度が変化するため、GaNの結晶構造に着目をした。