[G] Spintronics/Nanomagnetic Materials / Magnetic Functional Materials

[284] Magnetic properties of variant free L1₀-FeNi(110) films fabricated by a denitriding method

*Keita ITO^1,2, Takumi ICHIMURA³, Takahiro NISHIO⁴, Hiroaki KURA⁴, Hideto YANAGIHARA⁵, Koki TAKANASHI^1,2,6 (1. IMR, Tohoku Univ., 2. CSRN, Tohoku Univ., 3. Grad. Sch. Eng., Tohoku Univ., 4. DENSO CORPORATION, 5. Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba, 6. CSIS, Tohoku Univ)

Keywords:L1₀-FeNi、FeNiN

c軸が膜面内の一方向に揃ったバリアントフリーなエピタキシャルFeNiN(110)薄膜を作製した。脱窒素熱処理を行うことにより、バリアントフリーL1₀-FeNi(110)薄膜を作製し、一軸磁気異方性エネルギーを評価した。