[S9] S9 Materials Science and high temperature processing of widegap materials III

[S9.4] [Keynote Lecture] Understanding of transport phenomena in TSSG process of SiC crystal growth by CFD and its optimization by AI

*Okano Yasunori¹, Takehara Yuto² (1. Osaka Univ., 2. Osaka Univ.)

Keywords:Numerical Simulation、AI、SiC、TSSG、Optimization

TSSG法におけるSiC結晶作製時の移動現象の関する数値解析とAIを用いた最適化に関する演者らの最近の成果について報告する。