[S9] S9 Materials Science and high temperature processing of widegap materials III

[S9.5] 6 inch SiC bulk crystal grown by solution method aided by ML technology

*Toru Ujihara^1,2,3,4, Can Zhu¹, Yosuke Tsunooka¹, Koki Suzuki¹, Wangchen Yu¹, Xinbo Liu, Yifan Dang, Tomoaki Furusho¹, Masaru Isono¹, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada¹, Miho Tagawa¹ (1. Nagoya Univ., 2. RIKEN, 3. AIST, 4. UJ-Crystal)

Keywords:結晶成長、SiC、機械学習、プロセス・インフォマティクス

我々は長年溶液成長による高品質SiC結晶成長技術の開発を行い、最近では、6インチの結晶成長も実現している。これには機械学習技術を用いたいわゆるプロセス・インフォマティクスによるプロセス開発を活用している