[S9] S9 ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングIII

[S9.5] 溶液成長法による6インチSiC結晶の育成において活用したプロセス・インフォマティクス技術開発

*宇治原 徹^1,2,3,4、朱 燦¹、角岡 洋介¹、鈴木 皓己¹、郁 万成¹、劉 欣博、黨 一帆、古庄 智明¹、磯野 優¹、沓掛 健太朗、原田 俊太¹、田川 美穂¹ (1. 名古屋大学、2. 理化学研究所、3. 産業技術総合研究所、4. UJ-Crystal)

キーワード：結晶成長、SiC、機械学習、プロセス・インフォマティクス

我々は長年溶液成長による高品質SiC結晶成長技術の開発を行い、最近では、6インチの結晶成長も実現している。これには機械学習技術を用いたいわゆるプロセス・インフォマティクスによるプロセス開発を活用している