[S9] S9 ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングIII

[S9.7] 界面再構成法によるSi基合金中4H-SiC (000-1)面の1873 Kにおける初期ステップ構造

*青木 秀人¹、Chaussende Didier²、川西 咲子³、三谷 武志⁴、吉川 健¹ (1. 東京大学、2. Grenoble-Alpes Univ.-CNRS、3. 東北大学、4. 産業技術総合研究所)

キーワード：ステップバンチング、SiC溶液成長、4H-SiC

溶液成長法では固液界面のステップバンチングの制御が未解決課題でありその溶媒組成依存性も解明されていない。本研究では飽和液滴を移動させる実験手法を改善し、初期のバンチング挙動を調査した。