日本金属学会2021年秋期(第169回)講演大会

講演情報

一般講演

6.材料プロセシング » 固相プロセス 固相・溶接プロセス

[G] 実装

2021年9月17日(金) 13:00 〜 17:00 K会場 (ZoomK会場)

座長:山本 啓(大阪大学接合科学研究所)、福本 信次(大阪大学)、荘司 郁夫(群馬大学)

16:30 〜 16:45

[260] 半導体パッケージ構造におけるSiダイ/アンダーフィル界面の疲労き裂進展特性評価

*原 英利1、苅谷 義治2、藤田 隆幸3、榎本 利章3、山口 博3、??田 拓弥3 (1. 芝浦工大(院生)、2. 芝浦工大、3. ナミックス株式会社)

キーワード:Fatigue crack propagation、Interface crack、Underfill material、Finite element method、Semiconductor Package

4点曲げ疲労試験により半導体/封止樹脂界面の疲労き裂進展特性を評価する手法の開発を試みた.その結果,FEM解析とき裂進展計測結果を組み合わせることで,界面の疲労き裂進展則が得られるという指針を得た.

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